Энергонезависимые NV SRAM фирмы Microchip Technology

NV SRAM: Идеальное решение для частой записи данных

Энергонезависимая память NV SRAM (Non Volatile Serial Random Access Memory) — это оптимальное решение для приложений, требующих интенсивной записи данных. Микросхемы NV SRAM представляют собой выгодную альтернативу другим типам энергонезависимой памяти, особенно по цене. Благодаря внешней батарее данные сохраняются даже при отключении основного питания, обеспечивая надежность и непрерывность работы.

Доступ к памяти осуществляется через стандартный последовательный интерфейс SPI, что обеспечивает совместимость с большинством микроконтроллеров и микропроцессоров на рынке. Использование всего трех линий (тактовый вход SCK и линии данных SI/SO) экономит ресурсы хост-схемы, упрощает проектирование и снижает производственные затраты. Для приложений, требующих высокой скорости, микросхемы 23LCV поддерживают интерфейс SDI (Serial Dual Interface) с отличными параметрами передачи данных.

Память не имеет ограничений на количество циклов чтения/записи и отличается низким потреблением тока (3 мА при чтении и 4 мкА в режиме удержания). При потере основного питания микросхема автоматически переключается на резервную батарею, подключенную к входу Vбат, гарантируя сохранность данных.

Микросхемы серии 23LCV от Microchip доступны с памятью 512 кбит и 1024 кбит. Они выпускаются в стандартных корпусах для поверхностного монтажа THT (DIP8) и SMD (SO8, TSSOP8), что делает их идеальными для устройств, таких как счетчики, регистраторы данных (data loggers) и черные ящики.

Ключевые характеристики NV SRAM от Microchip

* в зависимости от модели

Обзор изделий Microchip NV SRAM