SK hynix представляет UFS 4.1 на базе 321-слойной NAND для повышения ИИ-производительности в премиальных смартфонах

Компания SK hynix анонсировала разработку нового мобильного накопителя UFS 4.1, созданного на основе 321-слойной 1Tb TLC 4D NAND — самой передовой технологии в своём классе на сегодняшний день. Новый продукт специально разработан для удовлетворения требований встроенной ИИ-обработки в смартфонах следующего поколения, где решающую роль играют энергоэффективность и высокая скорость.

По мере того как ИИ-функциональность становится неотъемлемой частью мобильных устройств, особенно важно найти баланс между вычислительной мощностью и энергопотреблением. В ответ на эти вызовы новое решение от SK hynix получило тонкий профиль — всего 0,85 мм по сравнению с 1 мм у предыдущего поколения, что делает его идеальным для сверхтонких смартфонов. Кроме того, модуль обеспечивает прирост энергоэффективности на 7% по сравнению с предыдущей моделью на базе 238-слойной NAND.

Модуль UFS 4.1 поддерживает последовательную скорость чтения до 4300 МБ/с — это рекордный показатель среди решений четвёртого поколения UFS. Также отмечен значительный прирост в случайных операциях: скорость случайного чтения увеличилась на 15%, а записи — на 40%. Эти улучшения особенно важны для многозадачности и быстрого доступа к данным в реальном времени, что критично для ИИ-приложений, требующих высокой скорости обработки информации.

С учетом того, что ИИ-функции становятся стандартом в премиум-смартфонах, решение SK hynix на базе UFS 4.1 заметно повышает комфорт использования благодаря более быстрой обработке данных и сниженной задержке. Улучшенная производительность и компактность напрямую соответствуют растущим требованиям сегмента высококлассных мобильных устройств.

Новый накопитель будет доступен в вариантах объёмом 512 ГБ и 1 ТБ, а массовые поставки запланированы на первый квартал следующего года. Процесс квалификации со стороны клиентов должен завершиться до конца текущего года.

Параллельно с этим SK hynix работает над расширением применения своей 321-слойной технологии 4D NAND в твердотельных накопителях, планируя завершить разработку решений как для потребительского сегмента, так и для дата-центров в течение года.