Guerrilla RF представляет высокопроизводительные GaN-усилители для передовых RF-приложений

Компания Guerrilla RF Inc. анонсировала GRF0020D и GRF0030D — первые устройства в новом классе GaN на SiC HEMT-усилителей мощности. Эти устройства, способные обеспечивать до 50 Вт насыщенной мощности, ориентированы на такие секторы, как беспроводная инфраструктура, аэрокосмическая промышленность, военные технологии и индустриальный нагрев, предлагая универсальное решение для разработки монолитных микроволновых интегральных схем (MMIC).

Исключительная гибкость и производительность

Новые усилители обеспечивают высокую адаптивность, поддерживая как 50 В, так и 28 В питающие шины и работая в широком диапазоне частот. GRF0030D способен достигать до 50 Вт насыщенной мощности (PSAT) в диапазоне от постоянного тока до 6 ГГц при коэффициенте усиления от 13,5 дБ до 23,7 дБ при питании 50 В. Альтернативно, он может работать на 28 В с выходной мощностью до 27,5 Вт.

GRF0020D, вариант с несколько меньшей мощностью, поддерживает частоты до 7 ГГц. Он обеспечивает до 30 Вт PSAT при 50 В и 19 Вт PSAT при 28 В, с коэффициентом усиления от 13,8 дБ до 24,3 дБ. Оба устройства оптимизированы для непрерывной волны, линейной и импульсной модуляции, что делает их подходящими для различных высокопроизводительных RF-приложений.

Надежное качество и производство в США

В рамках приверженности высоким стандартам качества каждое устройство проходит строгие испытания по стандартам KGD (Known Good Die) для обеспечения соответствия спецификациям. Эти усилители производятся в США, что поддерживает инициативу CHIPS Act 2022, направленную на укрепление устойчивой цепочки поставок внутри страны.

Удовлетворение растущего рыночного спроса

С технологией GaN, находящейся в авангарде энергоэффективных и высокопроизводительных RF-систем, новые устройства Guerrilla RF отвечают на сильный рыночный спрос. GRF0020D и GRF0030D позиционируются как надежные и гибкие решения для проектов следующего поколения, укрепляя репутацию компании как инновационного лидера отрасли.