Техпроцесс BCD для интегрированных систем «умной» энергетики

Корпорация MagnaChip Semiconductor представила 0,35-мкм техпроцесс BCD (Биполярный/КМОП/ДМОП) на сверхвысоком напряжении 700 В, нацеленный на компоненты систем «умной» энергетики, такие как AC/DC-преобразователи и импульсные блоки питания, а также на схемы светодиодного освещения.

Технология BCD обещает улучшить производительность за счёт значительного снижения потерь на проводимости и переключении. Данная особенность дополняется сочетанием технологией интеграции КМОП с двумя затворами (3,3/5,5 В) и структурой «металл-оксид-кремний», полученной методом горизонтальной диффузии (LDMOS), на средних напряжениях (20/40 В), а также высоковольтной технологией на напряжении 700 В. Техпроцесс включает режимы JFET и обеднения (LDMOS) для пусковых схем. Низкое сопротивление открытого состояния структуры LDMOS предназначено для силовых устройств.

Технология BCD позволит проектировать выгодные по цене и высоконадёжные одночиповые решения, интегрирующие DC/DC-преобразователи и функции запуска наряду с высокоплотной КМОП-структурой. Высоковольтная структура LDMOS поддерживает напряжение пробоя до 800 В при низком сопротивлении. Она также обеспечивает гибкостью проектирования за счёт выбора либо режима JFET, либо режима обеднения структуры LDMOS для пусковых устройств в зависимости от запирающего напряжения и условий допустимой нагрузки по току.

Новая 700-В технология также поддерживает различные опции технологических модулей: 20-В биполярные транзисторы (NPN/PNP), диоды Зенера, корпуса с высоким сопротивлением, предохранители и высоковольтную электростатическую защиту. Высоковольтный техпроцесс станет доступным в июне текущего года.