Серверные модули питания Fujitsu мощностью 2,5 кВт с компонентами на основе нитрида галлия

Fujitsu Semiconductor сообщила о том, что для серверных модулей питания с компонентами на основе нитрида галлия (GaN) с кремниевой подложкой удалось достичь выходной мощности 2,5 кВт. Согласно разработчику, данные компоненты позволяют использовать их в различных требовательных по мощности схемах, способствуя дальнейшему снижению выбросов углерода.

Fujitsu отметила, что компоненты на основе нитрида галлия обладают такими характеристиками, как низкое сопротивление в открытом состоянии и способность работать на высоких частотах, что ведёт к производству более компактных и эффективных модулей питания. Разработчик старается коммерциализировать подобные компоненты, которые при увеличении диаметров кремниевых полупроводниковых пластин способствуют удешевлению производства.

Fujitsu недавно завершила наладку серийного производства линии 6-дюймовых пластин на заводе Aizu-Wakamatsu. Полноценное производство компонентов на основе нитрида галлия начнётся во 2 половине 2013 года. За счёт предложения новых компонентов на основе технологии GaN, Fujitsu будет способствовать разработке компактных модулей питания с минимальными потерями для использования в широком диапазоне устройств.