Новая память EEPROM от Rohm с интерфейсом I2C и ёмкостью 1 Мбит

Серия высокоскоростной памяти EEPROM с большой ёмкостью была представлена компанией Rohm Semiconductor. Свежая линейка выпускается с ёмкостями от 512 Кбит до 1 Мбит, предлагая рабочую частоту до 1 МГц.

Все модули EEEPROM имеют структуру двойных ячеек для исключения случайных сбоев и цепь двойной защиты для предотвращения ошибок записи. Это делает данную память хорошим решением для широкого ряда устройств в потребительской, промышленной и автомобильной индустрии. Перезапись осуществляется за счёт пропуска электронов через туннельную оксидную плёнку. Это, однако, вызывает ухудшение состояния плёнки, в конечном счёте, ведущее к сбоям памяти, когда данные в ячейках блокируются в логическом состоянии 1, а их перезапись невозможна.

Структура двойных ячеек предотвращает подобные явления за счёт выделения двух ячеек для каждого бита памяти. Данные ячейки соединены по принципу логического «ИЛИ», поэтому одна из ячеек может функционировать даже при сбое другой. Так как все БИС становятся нестабильными по время подачи и отключения питания, а память EEPROM даже в большей степени восприимчива к таким явлениям, то невозможно восстановление даже после одного сбоя. В связи с этим, производитель встроил цепь двойной защиты, состоящей из блока сброса при включении питания (POR) и цепи защиты от записи с низким напряжением (LVCC), которая предотвращает операции записи и осуществляет сброс во время низкого напряжения.

В новых модулях данные могут быть перезаписаны 1 млн. раз, хранясь при этом до 40 лет. Устройства выпускаются в корпусах SO8 и TSSOP8. Все функции управления осуществляются по 2 портам: последовательное тактирование (SCL) и последовательные данные (SDA).