Infineon расширяет 3 поколение полевых транзисторов с изолированным затвором и обратной проводимостью
Infineon Technologies недавно представила 1200- и 1350-вольтные устройства, расширив портфолио 3 поколения транзисторов (IGBT) с мягким переключением, изолированным затвором и обратной проводимостью.
Компания удерживает крепкие позиции в технологиях резонансного переключения транзисторов IGBT, которые отлично подходят для систем индукционных печей. 3-е поколение полевых транзисторов с изолированным затвором оптимизировано под более низкие потери на переключение и проводимость, работая эффективно при вольтаже в 1100, 1200 и 1350 В.
Новое поколение имеет на 20% сниженные потери на переключении, что в результате снизило температуру корпуса на 5К во время тестирования по сравнению со 2 поколением полевых транзисторов IGBT с обратной проводимостью от Infineon. Более низкие потери на переключении снижают температурное напряжение на устройстве и ведут к более долгому сроку службы и высокой надёжности. Высокая эффективность, превосходные температурные и электромагнитные характеристики ввиду функции мягкого переключения, делают новые транзисторы IGBT отличным решением для индукционных печей, систем резонансного переключения и солнечной энергетики.
Расширение портфолио 1350-вольтными 30- и 40-амперными решениями адресовано для проектировщиков, работающих с компонентами с более высоким напряжением пробоя и устойчивостью к току, которые способствуют разработке схем с увеличенными номинальными напряжениями в односторонних топологиях, например с вольтажом до 3,6 кВт.
Дополнительно, 30- и 40-амперные устройства с напряжением пробоя 1350 В позволяют расширить область надёжной работы и достичь более высоких номиналов сверхтока во время скачков, что способствует повышенной надёжности и прочности.
Все транзисторы IGBT с обратной проводимостью нового 3-го поколения созданы для работы при температурах перехода до 175°C. При данной температуре значение напряжении насыщения VCE(sat) лежит в диапазоне от 1,8 В для 15-амперного 1200-В устройства и 2,1 В для 40-амперного 1350-В. Небольшие потери мягкого переключения гарантируют работу с высоким КПД: от 0,15 мДж для 15-А 1200-В транзистора до 1,07 мДж – для 40-А 1350-В устройства при dv/dt=150,0 В/мкс и T j=175°C.
3-е поколение транзисторов IGBT выпускается в номиналах 15, 20, 30 и 40 А с напряжениями пробоя 1200 и 1350 В, а также 1100 В для номинала 30 А. Устройства доступны для заказа серийными партиями.
Подписаться на почтовую рассылку / Авторам сотрудничество
