Биполярные транзисторы FGA40N65SMD, FGA60N65SMD, мощностью 650Вт, упрощают процесс преобразования мощности.

Fairchild Semiconductor International Inc. запустила новую линию биполярных транзисторов с изолированным затвором мощностью 650Вт для применения в фотоэлектрических инверторах, по заверениям компании, это поможет разработчикам повысить энергоэффективность продукции. Подобные устройства призваны помочь разработчикам преобразователей солнечней энергии, источников бесперебойного питания (ИБП), а также сварочных аппаратов постоянно сталкивающимся с необходимостью усиления и преобразования мощности, сохраняя при этом максимальную компактность устройств.

Биполярные транзисторы производства Fairchild Semiconductor International Inc. , созданные по технологии Field Stop, позволяют создавать высоконадежные системы с высоким входным напряжением и оптимальной производительностью, обеспечивая при этом снижение диэлектрических потерь на электропроводность, а также потерь при переключении. Биполярные транзисторы с изолированным затвором имеют высокий порог допустимой нагрузки по току, положительный температурный коэффициент, жесткие параметры показателей, а также широкую область надёжной работы.

/ Биполярный транзистор с изолированным затвором типа V_{CE (SAT)} 1.9V с номинальной силой тока 40A/60A.

Подобные устройства обладают такими характеристиками, как более большая мощность запирающего напряжения, что, однако, не оказывает отрицательного воздействия на рабочие характеристики, а положительный температурный коэффициент позволяет осуществлять работу в параллельном режиме, при этом, не допуская перегрева обшивки (корпуса) и, как следствие, перегрузок системы. Представители Fairchild также утверждают, что биполярные транзисторы с изолированным затвором имеют высокий порог допустимой нагрузки по току, что позволяет производить конвертацию переменного/постоянного тока большой мощности.

Максимальная температура перехода 175°C, приборы на основе биполярных транзисторов с изолированным затвором имеют максимальную температуру спая 175°C и напряжение насыщения типа V_{CE (SAT)} 1.9V  с номинальной силой тока 40A/60A. Высокая скорость переключения позволяет системе поддерживать высокую производительность. Кроме того, биполярные транзисторы с изолированным затвором производятся с учётом правил ограничения на использование опасных материалов в производстве электрического и электронного оборудования и обеспечивают низкую электропроводимость, а также снижение потерь при переключении.

Минимальная партия товара 1000 штук, цена биполярных транзисторов типа FGA40N65SMD - $2,98, FGA60N65SMD - $4,03. Образцы высылаются по запросу в течение 8-12 недель после получения заявки.